Dawon Kahng

Dawon Kahng

Biographie

Naissance	4 mai 1931 Séoul
Décès	13 mai 1992 (à 61 ans) New Brunswick
Nationalité	sud-coréenne
Formation	Université d'État de l'Ohio
Activité	Ingénieur

Autres informations

Distinctions	Médaille Stuart-Ballantine (en) (1975) National Inventors Hall of Fame (2009)

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Dawon Kahng (coréen : 강대원 ; 4 mai 1931 - 13 mai 1992) était un ingénieur électricien et inventeur américano-coréen, connu pour ses travaux dans le domaine de l’électronique à semi-conducteur. Il est surtout connu pour avoir inventé le MOSFET (transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, ou transistor MOS), avec son collègue Mohamed Atalla, en 1959. Kahng et Atalla ont développé les procédés PMOS et NMOS pour la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs MOSFET. Le MOSFET est le type de transistor le plus utilisé et l’élément de base de la plupart des équipements électroniques modernes.

Kahng et Atalla ont ensuite proposé le concept de circuit intégré MOS, et ils ont fait des travaux pionniers sur les diodes Schottky et les transistors à base de nanocouches au début des années 1960. Kahng a ensuite inventé le MOSFET à grille flottante (en) (FGMOS) avec Simon Min Sze (en) en 1967. Kahng et Sze ont proposé que les FGMOS puissent être utilisés comme cellules de mémoire à grille flottante pour la mémoire non volatile (NVM) et la mémoire à lecture seule (ROM) reprogrammable, qui sont devenues la base des technologies EPROM (ROM programmable effaçable), EEPROM (ROM programmable effaçable électriquement) et de mémoire flash. Kahng a été intronisé au National Inventors Hall of Fame en 2009.